IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是一种 电压驱动的全控型功率半导体器件，它结合了MOSFET的高输入阻抗和GTR（双极型三极管）的低导通压降的优点。IGBT的基本结构包括N型绝缘栅、P型底座、N+型导通层和P+型阻挡层。通过控制栅极电压来实现器件的导通和截止。导通阶段当栅极施加正向电压时，形成沟道，给
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igbt是怎么工作的
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